최상위 성능 메모리 확보 우선…'듀얼 빈' 구조 부상
에그 벳 슬롯 HBM4ⓒ에그 벳 슬롯전자
글로벌 인공지능(AI) 반도체 시장을 주도하는 에그 벳 슬롯아가 차세대 AI 가속기 성능 강화를 위해 고대역폭메모리(HBM) 공급 전략 재편을 검토하는 것으로 알려졌다. 동일 제품군을 성능 등급별로 나눠 공급받는 이른바 '듀얼 빈(Dual Bin)' 구조가 유력하게 거론되면서 HBM4 시장 경쟁 구도에도 변화가 예상된다.
19일 반도체 업계에 따르면 에그 벳 슬롯아는 올해 하반기 출시 예정인 차세대 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)'에 탑재할 HBM4 메모리를 최상위 성능 제품과 차상위 제품으로 구분해 공급받는 방안을 검토 중이다. 듀얼 빈 전략은 동일한 설계 기반의 반도체를 동작 속도와 전력 효율 등에 따라 여러 등급으로 나눠 활용하는 방식이다.
AI 모델 규모가 빠르게 확대되면서 메모리 대역폭이 전체 시스템 성능을 좌우하는 핵심 요소로 부상한 점이 배경으로 꼽힌다. 빅테크 기업들이 자체 AI 칩 개발 경쟁에 뛰어든 상황에서, 최고 성능 제품에는 초고속 에그 벳 슬롯을 적용해 성능을 극대화하고 일부 제품에는 차상위 사양을 병행 적용해 수급 효율을 확보하려는 전략이라는 분석이다.
업계에서는 에그 벳 슬롯아가 최고 성능 확보를 우선시하는 방향으로 공급망을 구성할 가능성에 무게를 두고 있다. 차상위 제품을 대체재로 활용하기보다는 최상위 성능 제품을 중심에 두고 보완적으로 활용하는 구조가 될 것이라는 관측이다.
이 같은 흐름 속에서 최근 시작된 6세대 HBM4 양산 출하 경쟁도 주목받고 있다. 에그 벳 슬롯전자는 세계 최초로 HBM4 양산 출하를 공식화하며 시장 경쟁의 포문을 열었고, SK하이닉스와 마이크론 역시 양산 준비를 진행 중이다.
에그 벳 슬롯전자의 HBM4는 10나노급 6세대(1c) D램 공정을 적용해 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 크게 웃도는 11.7Gbps 동작 속도를 구현했으며 최대 13Gbps까지 확장 가능하다. 반면 SK하이닉스는 이전 세대 HBM3E에서 확보한 대규모 양산 경험과 수율 안정성을 기반으로 공급 경쟁력을 유지한다는 전략이다.
반도체 업계에서는 에그 벳 슬롯 경쟁의 초점이 단순한 생산 속도에서 기술력과 성능 포지셔닝 경쟁으로 이동하고 있다는 평가가 나온다. 업계 한 관계자는 "에그 벳 슬롯를 둘러싼 경쟁이 본격화되면서 메모리 업체 간 기술 경쟁뿐 아니라 주요 고객사의 공급망 설계 방식이 시장 판도를 좌우할 핵심 변수가 되고 있다"고 말했다.
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